NTF5P03T3G
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | NTF5P03T3G |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.02 |
10+ | $0.909 |
100+ | $0.709 |
500+ | $0.5857 |
1000+ | $0.4624 |
2000+ | $0.4316 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-223 (TO-261) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 5.2A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.56W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.7A (Ta) |
Grundproduktnummer | NTF5P03 |
NTF5P03T3G Einzelheiten PDF [English] | NTF5P03T3G PDF - EN.pdf |
HEATSHRINK TUBING 1"
HEATSHRINK TUBING 1"
ON SOT
HEATSHRINK TUBING 1"
ON SOT-223
NTF5P03T1G ON
HEATSHRINK TUBING 1"
MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
HEATSHRINK TUBING 1"
NTF3055T1G ON
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
ON SOT223
ON SOT-223
CCSEMI SOT-223
MOSFET P-CH 30V 5.2A SOT223
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
ON SOT-223
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
HEATSHRINK TUBING 1"
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
2024/10/23
2024/03/25
2024/04/10
2025/01/2
NTF5P03T3Gonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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